《Journal of Semiconductors》于1980年創(chuàng)辦,全刊信息多卻有條有理,堅持打造交流思想和經(jīng)驗共享的主流平臺,國內(nèi)刊號為:11-5781/TN,創(chuàng)刊多年來受到許多讀者的支持和喜愛。
《Journal of Semiconductors》是國內(nèi)最早的半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)期刊之一,旨在推動半導(dǎo)體科技和應(yīng)用的研究,為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界提供一個交流和分享半導(dǎo)體領(lǐng)域最新科研成果和技術(shù)進展的平臺。涵蓋了廣泛的半導(dǎo)體領(lǐng)域,包括材料與器件、工藝與制造、物理與特性等方面的研究。發(fā)布的論文涉及晶體生長、材料表征、器件設(shè)計、制備工藝、性能測試等各個環(huán)節(jié),同時也關(guān)注半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的新技術(shù)和應(yīng)用案例。它在國內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)域享有較高的聲譽和影響力,被廣大研究人員和工程師廣泛引用,目標是成為一個推動半導(dǎo)體科技創(chuàng)新、促進學(xué)術(shù)交流和推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要平臺。
《Journal of Semiconductors》通過嚴格的同行評議制度和學(xué)術(shù)委員會的管理,確保論文質(zhì)量和學(xué)術(shù)水平,為廣大研究人員和工程師提供高質(zhì)量的研究成果和應(yīng)用案例。
Ⅰ、稿件參照規(guī)范學(xué)術(shù)論文格式與體例。文中標題一般不超過三級,如依次為“1”-“1.1”-“1.1.1”。正文格式按照宋體、小四、1.5 倍行距進行排版。
Ⅱ、范圍:半導(dǎo)體材料和器件的研究與應(yīng)用,包括但不限于半導(dǎo)體材料生長、制備與表征,半導(dǎo)體器件物理與模擬,半導(dǎo)體工藝與技術(shù),半導(dǎo)體應(yīng)用與系統(tǒng)等方面。
Ⅲ、中文題名一般不允許超過20個漢字,必要時可以加副標題。要求有作者署名,工作單位全稱及其所在?。ㄖ陛犑小⒆灾螀^(qū))、市、縣,郵政編碼等信息。
Ⅳ、間接引文通常以“參見”或“詳見”等引領(lǐng)詞引導(dǎo),反映出與正文行文的呼應(yīng),標注時應(yīng)注出具體參考引證的起止頁碼或章節(jié)。標注項目、順序與格式同直接引文。
Ⅴ、凡可文字表述清楚的內(nèi)容,盡量不用圖、表,文字、圖、表三者內(nèi)容不得重復(fù)。表格一律采用“三線表”格式,必要時可添加輔助線。
VI、摘要的內(nèi)容包括研究目的、內(nèi)容、主要方法、結(jié)果和結(jié)論等(300字左右):摘要應(yīng)盡量寫成報道性文摘且具有獨立性,采用第三人稱寫法,一般不用數(shù)學(xué)公式和化學(xué)結(jié)構(gòu),不出現(xiàn)插圖、表格,不用引文;中、英文摘要內(nèi)容一致。
VII、稿件注釋著作類包括作者、著作名稱、出版社、出版時間、頁碼;古文獻可在作者前加時代;譯著可在作者前加國別;論文類包括作者、論文名稱、期刊號。來稿請一律采用尾注形式。
VIII、來稿要求包含論文的中英文題目、中英文摘要、中英文關(guān)鍵詞,中英文作者姓名和中英文署名單位以及文章的中圖分類號、文獻標志碼。
IX、論文所涉及的課題如取得國家或部、省級以上基金或攻關(guān)項目資助,應(yīng)腳注于文題頁左下方,如“基金項目:××基金資助項目(基金編號××××)”,并附證書復(fù)印件。
X、有參考文獻,專著的格式為:主要責任者.題名[文獻類型標志].出版地:出版者,出版年:引文頁碼,文獻的格式為主要責任者.文獻題名[文獻類型標志].連續(xù)出版物題名,年,卷(期):頁碼。
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